Processing math: 100%

• Путь (м):

S=υt

υ(м/с) - Скорость средняя
t(с) - Время

• Путь (м):
S=υ2υ022a
S=υ22a
A=FSS=AF
A=FScosαS=AFcosα

a(м/с2) - Ускорение
υ(м/с) - Скорость конечная
υ0(м/с) - Скорость начальная
A(Дж) - Работа
F(Н) - Сила
α() - Угол между силой и перемещением

• Площадь (м2):
S=Fp
• Площадь первого поршня (м2):
F2F1=S2S1S1=F1S2F2
• Площадь второго поршня (м2):
F2F1=S2S1S2=F2S1F1

F(Н) - Сила
p(Па) - Давление
F1(Н) - Сила первого поршня
F2(Н) - Сила второго поршня
S1(м2) - Площадь первого поршня
S2(м2) - Площадь второго поршня

• Площадь круга (м2):
S=πr2
• Площадь поверхности шара (м2):
S=4πr2

r(м) - Радиус

• Площадь дна сосуда (м2):

Fд=ρghSдSд=Fдρgh
• Площадь боковой поверхности сосуда(м2):
Fб=12ρghSбSб=2Fбρgh

g=9.81(м/с2) - Ускорение свободного падения
ρ(кг/м3) - Плотность жидкости
h(м) - Высота столба жидкости
Fд(Н) - Сила гидравлического давления, действующая на дно сосуда
Fб(Н) - Сила гидравлического давления, действующая на боковую поверхность сосуда

• Площадь поперечного сечения проводника(м2):

R=ρlSS=ρlR
I=enυSS=Ienυ
I=jSS=Ij

ρ(Ом·м) - Удельное электрическое сопротивление
l(м) - Длина проводника
R(Ом) - Сопротивление
I(А) - Сила тока
n(м3) - Концентрация электронов в единице объёма
υ(м/с) - Скорость движения электронов
j(А/м2) - Плотность тока
e=1.61019(Кл) - Заряд электрона

• Площадь поперечного сечения (м2):
Fупр=σSS=Fупрσ

Fупр(Н) - Сила упругости
σ(Па) - Механическое напряжение

• Площадь пластины конденсатора (м2):

C=εε0SdS=Cdε0ε

ε0=8.851012(Фм) - Электрическая постоянная
ε - Диэлектрическая проницаемость
C(Ф) - Электроёмкость конденсатора
d(м) - Расстояние между пластинами конденсатора

• Площадь контура (м2):
Φ=BScosαS=ΦBcosα

B(Тл) - Магнитная индукция
Φ(Вб) - Магнитный поток
α() - Угол между вектором магнитной индукции и нормалью к плоскости

• Площадь участка сферы (м2):
ω=Sr2S=ωr2

ω(ср) - Телесный угол
r(м) - Радиус

• Площадь (м2):
E=ΦSS=ΦE
R=ΦSS=ΦR

Φ(лм) - Световой поток
E(лк) - Освещённость
R(лк) - Светимость